導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀是根據(jù)四探針原理，適合半導(dǎo)體器材廠，材料廠用于測(cè)量半導(dǎo)體材料(片狀、棒狀)的體電阻率，方塊電阻(簿層電阻)，也可以用作測(cè)量金屬薄層電阻，經(jīng)過(guò)對(duì)用戶(hù)、半導(dǎo)體廠測(cè)試的調(diào)查，根據(jù)美國(guó)ASTM標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定，在電路和探頭方面作了重大的修改和技術(shù)上的許多突破，半導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀更適合于半導(dǎo)體器材廠工藝檢測(cè)方面對(duì)中值、高阻硅、鍺材料方塊電阻和體電阻率的測(cè)量需要，成為普及型的電阻率測(cè)試儀，具有測(cè)量精度高，穩(wěn)定性好，輸入阻抗高，使用方便、價(jià)格低廉等特點(diǎn)。
導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀的主要指標(biāo)如下：
1.測(cè)量范圍：電阻率10-3—103Ω-cm，分辯率為 10-4Ω-cm ，可擴(kuò)展到105Ω-cm
方塊電阻10-2—104Ω/□，分辯率為10-3Ω/□，可擴(kuò)展到106Ω/□
薄層金屬電阻10-4—105Ω，分辯率為10-4Ω
2.可測(cè)半導(dǎo)體材料尺寸：直徑Φ15—Φ125mm; 長(zhǎng)度：150mm(可擴(kuò)展500mm)
3.測(cè)量方式：軸向、斷面均可
4.數(shù)字電壓表：(1)量程：20mV(分辯率：10μV)、200mV、2V
(2)測(cè)量誤差：±0.3%讀數(shù)±1字
(3)輸入阻抗：大于108Ω
(4)顯示3 1/2 位紅色發(fā)光二極管(LED)數(shù)字顯示
0---1999具有極性、過(guò)載、小數(shù)點(diǎn)、單位自動(dòng)顯示
5. 恒流源：由交流供電，具有良好的防泄漏隔離功能
(1)直流電流：0—100mA連續(xù)可調(diào)
(2)量程：10μA、100μA、1mA、10mA、100mA
(3)分辯率：10nA、0.1μA、1μA、10μA、0.1mA
(4)電流誤差：±0.3%讀數(shù)±2字
6.電性能模擬考核誤差：<±0.3%符合ASTM指標(biāo)
7 .測(cè)試探頭：(1)探針機(jī)械游移率：± 0.3% 符合ASTM 指標(biāo)
