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硅片電阻率測(cè)量方法,四探針方阻儀原理
更新時(shí)間:2015-03-07 點(diǎn)擊次數(shù):4363

本機(jī)采用范德堡測(cè)量原理能改善樣品因幾何尺寸、邊界效應(yīng)、探針不等距和機(jī)械游移等外部因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響及誤差,比市場(chǎng)上其他普通的四探針測(cè)試方法更加完善和進(jìn)步,特別是方塊電阻值較小的產(chǎn)品測(cè)量,更加準(zhǔn)確.


按照硅片電阻率測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)(ASTM F84)及標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)制造該儀器設(shè)計(jì)符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測(cè)定方法》、GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流兩探針法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針法》并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn),本機(jī)配置232電腦接口及USB兩種接口,

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